IGCT/IGBT


IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):

  • Der IGCT ist ein spezieller Thyristortyp, der in Hochleistungsanwendungen eingesetzt wird.
  • Es kombiniert die Eigenschaften herkömmlicher Thyristoren (SCRs) mit der Fähigkeit zum Abschalten des Gates und ist somit für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen geeignet.
  • Branchen nutzen IGCTs dort, wo eine präzise Steuerung der elektrischen Leistung erforderlich ist, beispielsweise zur Steuerung von Elektromotoren, zur Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) und für andere Hochleistungsanwendungen.


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):

  • Der IGBT ist ein Halbleiterbauelement, das zum Schalten und Verstärken elektrischer Energie verwendet wird.
  • Es vereint die Vorteile von MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) und Bipolartransistoren.
  • IGBTs werden häufig in Frequenzumrichtern (VFDs), Motorsteuerungen, Wechselrichtern und anderen Anwendungen eingesetzt, die ein hocheffizientes Schalten elektrischer Energie erfordern.